Si(111)表面上のInとMgで構成される超薄膜の構造と電子状態について明らかにした論文が3月1日づけでPhysical Review Bに掲載されました。
Si(111)表面上のIn 2原子層超薄膜にMgを蒸着し、In超薄膜とSi基板の界面に挿入させることで、基板の影響が小さく自立した(“freestanding”)状態に近い2原子層金属超薄膜の作製に成功しました。
Si(111)表面上のInとMgで構成される超薄膜の構造と電子状態について明らかにした論文が3月1日づけでPhysical Review Bに掲載されました。
Si(111)表面上のIn 2原子層超薄膜にMgを蒸着し、In超薄膜とSi基板の界面に挿入させることで、基板の影響が小さく自立した(“freestanding”)状態に近い2原子層金属超薄膜の作製に成功しました。